2.真空

   系统

3.真空

   极限

①基片台尺寸Φ100mm，最大样品尺寸小于Φ100mm；

②旋转转速0～30转/分钟，可调可控；

③样品台:加热温度0～300±1℃（基片台环境温度） ；

1.配置1套2英寸永磁共焦磁控溅射靶（溅射靶角度、高度手动可调），向下溅射；磁控靶配有气动挡板结构；

2.工作方式：各靶可独立/顺次/共同工作，采用磁控靶从上向下溅射镀膜；

3.电源：

直流脉冲溅射电源500W，数字化控制及显示，1台；

自动调谐射频电源RF300W， 数字化控制及显示，1台；

脉冲偏压电源：-1kV， 数字化控制及显示，1台。

1. CF100法兰接口：1个（观察窗口）；

CF63法兰接口：1个（观察窗口）；

2. CF16法兰接口：2个（1路进气管路、放气阀）；

3. CF200法兰接口：1个（接分子泵）；

4. RF20法兰接口：2个（用来安装磁控靶和靶挡板）；

5. CF100法兰接口：1个（用来安装样品台）；

6. CF35法兰接口：5个（接高真空电离规管、旁抽口、陶封引线,备用2个）；

7. CF16法兰接口：2个（备用）。

1. 基片尺寸和数量：直径≤180 mm，数量≥1片；

2. 水冷区域为180mm，基片温度：室温～40°C±1°C，由热电偶闭环反馈控制，可控可调，可绝缘密封承受-1000 V高压；

3. 基片公转由调速电机驱动，0～30 转/分连续可调（转动速度）；

4. 进口SMC转角气缸样品挡板组件 1套；

5. 基片台定位精度(X/Y/Z轴)：≤±10μm ；

6. 重复定位精度(X/Y/Z轴)：≤±/5μm；

7. 移动速度(X/Y/Z轴)：≥200/200/80mm/s ；

8. A轴摆动行程：≥+/-60°；

9. C轴旋转行程：0-360°。温,速率、保持温度、保持时间；通过热电偶的反馈信号，实现加热温度自动控制；

1. 靶材尺寸：Ф100mm；

2. 提供试用靶材：钛和铜测试靶材各≥1块；

3. 永磁靶2套，2套靶对射频溅射与直流溅射均兼容，靶内水冷；

4. 进口SMC旋转气动控制挡板组件：3套；

5. 靶在上，向下向心溅射，共焦磁控溅射靶（溅射靶角度可调），分布在一个圆周上，各靶可独立/顺次/共同工作；

6. RF300W全自动调谐射频电源1台；

7. 500 W脉冲直流电源1台；

8 -1000 V脉冲偏压直流电源1台；

9 靶基距60～110 mm可调，可手动连续调节；两靶共溅射，靶可摆角度，角度为0～35℃。

1. CF100玻璃窗口：1块；CF63玻璃窗口：1块；

2. CF35陶瓷封接引线法兰：2个（照明及内烘烤引线）；

3.盲法兰：CF16：1个；CF35：2个。

1. 复合分子泵及变频控制电源：1台（FF200/1300，1300 L/s，）；

2. 机械泵： 1台（≥14 L/s，）；

3. KF40气动角阀：2台；

4. 机械泵与真空室之间的旁抽管路：1套；

5. CF200电动闸板阀：1台（用于复合分子泵与真空室隔离）；

6. KF16气动角阀：2台；

7. 压差式充气阀：1台。

1. 溅射室真空度采用复合真空计进行测量（量程1×105 Pa～1×10-7 Pa）；

2. 镀膜采用薄膜规进行测量（精度 0.5%）；

1. 在实验镀膜模式情况下，可实现一键启动抽空到达工作真空度后，手动进行镀膜参数设置，实验结束后一键自动充气，此时系统处于开环控制状态；

2. 系统提供计算机实时通讯，显示记录真空度以及加热温度PID调节设定；

3. 系统提供计算机实时通讯，设定显示直流电源、射频电源功率参数调整，气体流量控制调节，制定工艺菜单及自动记录设定各项工艺参数存储；

4. 系统提供计算机MFC的工艺气体稳压控制调节；

5. 计算机设定显示挡板状态、样品转速等。

1 溅射室极限真空度：≤6.0×10-6 Pa (经烘烤除气后)； 

2系统真空检漏漏率：≤5.0×10-7 Pa.L/S；

3系统从大气开始抽气：溅射室25分钟可达到7.0×10-4 Pa；

4系统停泵关机12小时后真空度：≤2 Pa；

5溅射样品片内膜厚不均匀度：≤ ±3%（同一样品中心直径75 mm范围内随机取膜厚测试点，≥5个测试点）；

6溅射样品片间膜厚不均匀度：≤ ±3%（不同样品中心直径75 mm范围内随机取膜厚测试点，不同批次样品总数≥5个，每个样品上≥2个测试点）。